針對美國商務部工業和安全局5月15日公布之最新規范對晶圓代工產業的影響，集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新分析指出，雖然目前相關法規仍有進一步解釋的空間，但從已知規范來看，在5月15日后若要額外增加投片，皆需要經過核準。加上美國對于華為或其他中國品牌的規范力道不排除將持續增強，因此對于晶圓代工廠的后續影響可能不容樂觀。 根據集邦咨詢調查，目前海思在臺積電投片占比約兩成左右，主要為16/12nm（含）以下先進制程，其中16/12nm產品以5G基站相關芯片為主，另有中端4G智能手機SoC- Kirin 710（海思今年已有小量Kirin710轉投片至中芯國際14nm制程）。 以中芯國際產能來看，14nm目前主要生產海思Kirin 710，2020年第二季每月產能平均約5K。雖然近日中芯國際旗下中芯南方獲得中國國家集成電路基金II（大基金二期）及上海集成電路基金II投資約22.5億美元，并宣布中芯國際產能將以增加至每月35K為目標，相較原先規劃2020年底15K的產能增加約20K，但集邦咨詢認為，考量中芯國際14nm良率還未有效改善，現階段對海思而言，在16nm（含）以下先進制程臺積電的地位仍難取代。 兩大芯片代工伙伴皆受限，寬限期過后可能沖擊華為終端產品生產 若臺積電在短期內未獲得美方許可，且海思后續產品持續被禁止投片，在寬限期120天過后，可能導致臺積電第三季16/12nm以下先進制程產能利用率受到明顯沖擊。即使市場預期AMD、NVIDIA及聯發科等強勁的5G、HPC需求將持續挹注7nm投片，但集邦咨詢認為仍難以完全補足海思的缺口。 綜上所述，限制使用美國設備生產華為（海思）芯片短期內將對臺積電造成不小的影響。而且規范并未指明針對臺積電，因此同樣使用美國設備制造半導體芯片的中芯國際，甚至其他半導體晶圓代工廠都將同樣受到出貨限制。
